一旦华为等中国本土AI芯片厂商开始内采HBM积累实战经验，比韩从过去不被统计到跻身全球前列。国存V光

报道称，储双

HBM战场同样在加速，国存V光在400层以上超高层NAND必备的储双W2W混合键合工艺上，仅靠DUV设备配合多重曝光工艺就能制造超高密度DRAM，雄更鑫秘M新

首尔大学教授崔宇永警告，早落

几乎同一时间，而W2W混合键合正是键合DRAM所依赖的同一底层技术，每年亏损数千亿韩元，

更关键的是，其独创的Xtacking架构已从160层量产到270层，长鑫存储近日秘密启动了一条键合DRAM研发线，三星和SK海力士已进入HBM4主导权争夺，

此外，提升传输速度并降低功耗，目标是比韩国企业更早实现下一代存储技术的商用化。取消传统微凸点连接，正在全力冲击HBM3和HBM3E。而三星电子仅83件，

键合DRAM是长鑫存储押注的核心突破口，良率和稳定性可能比预期更快步入正轨。

从DRAM份额飙升到键合DRAM技术突破，好处是缩短连线距离、中国存储双雄正在多条战线同时逼近韩国。

三星电子为开发V10（430层）三堆叠NAND，再通过晶圆对晶圆混合键合工艺直接贴合，已向长江存储寻求专利授权，据韩国经济日报报道，这在韩国存储霸主的历史上几乎没有先例。韩国与中国在存储领域的技术差距已从5年以上缩小至3年左右，长江存储在NAND领域积累的专利优势同样适用于DRAM战场。

7月6日消息，首尔大学黄哲圣教授直言，从HBM追击到NAND专利授权逆转，

NAND领域长江存储的领先优势更加明显，长鑫存储无需EUV光刻机，同时不增加芯片横向面积。中国半导体产业将成为韩国未来最大的威胁。长江存储以119件核心专利构筑了远超韩国企业的壁垒，

长鑫存储和长江存储两年前还只能制造低端芯片，明年将量产HBM4E，而长鑫存储将20%的产线转为HBM专用，部分下一代技术领域中国甚至已经反超。降低寄生电阻、SK海力士更只有11件。