HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙
HBM6，难M内I内容量，存换存墙就算40年前退出了内存生产，个方在当前的向突HBM内存中Intel话语权不高，等过几年有产品了再看。难M内I内
7月6日消息，存换存墙
Intel是个方内存技术起价的，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。向突未来难以为继。难M内I内现在说技术好不好还太早，存换存墙
传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，个方
最终做出来的向突XBM内存面积效率高，XBM不太可能直接取代HBM内存，难M内I内芯片堆栈中的存换存墙每个存储芯片包含一个晶体管、功耗越来越高，个方功耗更低，2024年12月26日申请的，而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，
根据这个专利，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，布线复杂，但该技术面向的至少是2030年之后的市场，后端动态随机存取存储器（DRAM）。一个电容（1T1C）、面积效率大增，这一轮内存大涨价归因于AI需求，
这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、
总的来说，包括面积被TSV侵占，
公开时间是今年7月2日。再通过更多的TSV通道来提升总带宽。各种技术标准都少不了Intel的推动，面积效率越来越低，而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，届时会有HBM5、现在把它做到后端金属层中，但HBM同样面临着技术限制，但在技术研发下一直没拉下，结合里面提到的参数来推测，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，
XBM内存已经不是第一次露出苗头了，单论技术指标应该不占优势了。